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Influence of lateral patterning geometry on lateral carrier confinement in strain-modulated InGaAs- nanostructures

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Verfasserangaben:Ullrich Pietsch, Ute Zeimer, Jörg Grenzer, Souren A. Grigorian, J. Fricke, S. Gramlich, F. Bugge, Markus Weyers, G. Trankle
Publikationstyp:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2003
Erscheinungsjahr:2003
Datum der Freischaltung:24.03.2017
Quelle:Physica status solidi / A. - 195 (2003), 1, S. 178 - 182
Organisationseinheiten:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie
Peer Review:Referiert
Publikationsweg:Open Access
Name der Einrichtung zum Zeitpunkt der Publikation:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik
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