Stability of polarization in organic ferroelectric metal-insulator-semiconductor structures
- Dielectric measurements have been carried out on all-organic metal-insulator-semiconductor structures with the ferroelectric polymer poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene) as the gate insulator. It is shown that the polarization states remain stable after poling with accumulation and depletion voltage. However, negative charge trapped at the semiconductor-insulator interface during the depletion cycle masks the negative shift in flatband voltage expected during the sweep to accumulation voltages.
Verfasserangaben: | Rene Kalbitz, Peter FrübingORCiD, Reimund GerhardORCiDGND, D. M. Taylor |
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DOI: | https://doi.org/10.1063/1.3543632 |
ISSN: | 0003-6951 |
Titel des übergeordneten Werks (Englisch): | Applied physics letters |
Verlag: | American Institute of Physics |
Verlagsort: | Melville |
Publikationstyp: | Wissenschaftlicher Artikel |
Sprache: | Englisch |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2011 |
Erscheinungsjahr: | 2011 |
Datum der Freischaltung: | 26.03.2017 |
Band: | 98 |
Ausgabe: | 3 |
Seitenanzahl: | 3 |
Fördernde Institution: | British Council [ARC 1294]; DAAD [D/07/09993]; Fraunhofer Institute for Applied Polymer Research in Potsdam |
Organisationseinheiten: | Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie |
Peer Review: | Referiert |