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Stability of polarization in organic ferroelectric metal-insulator-semiconductor structures

  • Dielectric measurements have been carried out on all-organic metal-insulator-semiconductor structures with the ferroelectric polymer poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene) as the gate insulator. It is shown that the polarization states remain stable after poling with accumulation and depletion voltage. However, negative charge trapped at the semiconductor-insulator interface during the depletion cycle masks the negative shift in flatband voltage expected during the sweep to accumulation voltages.

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Verfasserangaben:Rene Kalbitz, Peter FrübingORCiD, Reimund GerhardORCiDGND, D. M. Taylor
DOI:https://doi.org/10.1063/1.3543632
ISSN:0003-6951
Titel des übergeordneten Werks (Englisch):Applied physics letters
Verlag:American Institute of Physics
Verlagsort:Melville
Publikationstyp:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2011
Erscheinungsjahr:2011
Datum der Freischaltung:26.03.2017
Band:98
Ausgabe:3
Seitenanzahl:3
Fördernde Institution:British Council [ARC 1294]; DAAD [D/07/09993]; Fraunhofer Institute for Applied Polymer Research in Potsdam
Organisationseinheiten:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie
Peer Review:Referiert
Verstanden ✔
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