Dual-Characteristic Transistors Based on Semiconducting Polymer Blends
- A dual-characteristic polymer field-effect transistor has markedly different characteristics in low and high voltage operations. In the low-voltage range (<5 V) it shows sharp subthreshold slopes (0.3–0.4 V dec−1), using which a low-voltage inverter with gain 8 is realized, while high-voltage (>5 V) induces symmetric current with regard to drain and gate voltages, leading to discrete differential (trans) conductances.
| Verfasserangaben: | Guanghao Lu, Riccardo Di Pietro, Lisa Sophie Kölln, Iyad Nasrallah, Ling Zhou, Sonya Mollinger, Scott Himmelberger, Norbert Koch, Alberto Salleo, Dieter NeherORCiDGND |
|---|---|
| DOI: | https://doi.org/10.1002/aelm.201600267 |
| ISSN: | 2199-160X |
| Titel des übergeordneten Werks (Englisch): | Advanced electronic materials |
| Verlag: | Wiley-Blackwell |
| Verlagsort: | Hoboken |
| Publikationstyp: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2016 |
| Erscheinungsjahr: | 2016 |
| Datum der Freischaltung: | 22.03.2020 |
| Freies Schlagwort / Tag: | charge accumulation; crystalline ordering; field-effect-transistor; semiconducting polymers |
| Band: | 2 |
| Seitenanzahl: | 7 |
| Erste Seite: | 2344 |
| Letzte Seite: | 2351 |
| Fördernde Institution: | Alexander von Humboldt Stiftung; Natural Science Foundation of China [51473132] |
| Organisationseinheiten: | Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie |
| Peer Review: | Referiert |
