Dual-Characteristic Transistors Based on Semiconducting Polymer Blends
- A dual-characteristic polymer field-effect transistor has markedly different characteristics in low and high voltage operations. In the low-voltage range (<5 V) it shows sharp subthreshold slopes (0.3–0.4 V dec−1), using which a low-voltage inverter with gain 8 is realized, while high-voltage (>5 V) induces symmetric current with regard to drain and gate voltages, leading to discrete differential (trans) conductances.
Verfasserangaben: | Guanghao Lu, Riccardo Di Pietro, Lisa Sophie Kölln, Iyad Nasrallah, Ling Zhou, Sonya Mollinger, Scott Himmelberger, Norbert Koch, Alberto Salleo, Dieter NeherORCiDGND |
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DOI: | https://doi.org/10.1002/aelm.201600267 |
ISSN: | 2199-160X |
Titel des übergeordneten Werks (Englisch): | Advanced electronic materials |
Verlag: | Wiley-Blackwell |
Verlagsort: | Hoboken |
Publikationstyp: | Wissenschaftlicher Artikel |
Sprache: | Englisch |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2016 |
Erscheinungsjahr: | 2016 |
Datum der Freischaltung: | 22.03.2020 |
Freies Schlagwort / Tag: | charge accumulation; crystalline ordering; field-effect-transistor; semiconducting polymers |
Band: | 2 |
Seitenanzahl: | 7 |
Erste Seite: | 2344 |
Letzte Seite: | 2351 |
Fördernde Institution: | Alexander von Humboldt Stiftung; Natural Science Foundation of China [51473132] |
Organisationseinheiten: | Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie |
Peer Review: | Referiert |