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In der Diskussion um die internationale Rolle Europas ist die Gemeinsame Außen- und Sicherheitspolitik (GASP) Gegenstand häufiger Kontroversen. Ist die EU-Außenpolitik „das blutärmste Produkt der europäischen Integration“ (Kagan 2002) oder gar Beleg für eine wachsende Kluft zwischen Erwartungen und Fähigkeiten (Hill 1998)? Deutlich im Gedächtnis ist noch die Zerrissenheit und Einflusslosigkeit der europäischen Außenpolitik während des Irakkrieges 2003. Sind entsprechende Bemühungen der EU also nicht der Rede wert? Sind die Vorschläge zu Reformen der Verfahren und Institutionen, wie sie der Europäische Konvent zur Zukunft Europas und die anschließende Regierungskonferenz zuletzt vorlegten1, nur Sandkastenspielzeug für Politikwissenschaftler? Oder verspricht der geplante Verfassungsvertrag den strategischen Durchbruch, der die EU zu einem wirklichen außen- und sicherheitspolitischen Akteur im internationalen System werden lässt?
Mit dem Vertrag von Lissabon verbinden sich hohe Erwartungen hinsichtlich der Effektivität zukünftiger Regelungen zum auswärtigen Handeln der Union. In der Gestaltung dieser Bestimmungen unterliegen die Mitgliedstaaten konstitutionellen Dilemmata, die eine Lösung erschweren. Obwohl im Detail durchaus Verbesserungen erkennbar sind, werden insgesamt zunehmende Konflikte und mangelnde Kohärenz erwartet.
If not oriented perfectly isotropically, the strong dipole moment of polar organic semiconductor materials such as tris-(8-hydroxyquinolate)aluminum (Alq3) will lead to the buildup of a giant surface potential (GSP) and thus to a macroscopic dielectric polarization of the organic film. Despite this having been a known fact for years, the implications of such high potentials within an organic layer stack have only been studied recently. In this work, the influence of the GSP on hole injection into organic layers is investigated. Therefore, we apply a concept called dipolar doping to devices consisting of the prototypical organic materials N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) as nonpolar host and Alq3 as dipolar dopant with different mixing ratios to tune the GSP. The mixtures are investigated in single-layer monopolar devices as well as bilayer metal/insulator/semiconductor structures. Characterization is done electrically using current-voltage (I-V) characteristics, impedance spectroscopy, and charge extraction by linearly increasing voltage and time of flight, as well as with ultraviolet photoelectron spectroscopy. We find a maximum in device performance for moderate to low doping concentrations of the polar species in the host. The observed behavior can be described on the basis of the Schottky effect for image-force barrier lowering, if the changes in the interface dipole, the carrier mobility, and the GSP induced by dipolar doping are taken into account.