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Gegenstand der Arbeit sind die protestantischen Landprediger der Kurmark Brandenburg in der zweiten Hälfte des 18. Jahrhunderts. Die Landprediger standen zu dieser Zeit in schlechtem Ruf, indem sie von der gebildeten Öffentlichkeit für "verbauert" gehalten wurden. Sie versuchten ihre Zugehörigkeit zum aufgeklärten Bürgertum unter Beweis zu stellen, nicht zuletzt indem sie "Volksaufklärung" betrieben. Auf der Grundlage breiten archivalischen Materials werden die kulturellen, sozialen und ökonomischen Umstände beleuchtet, unter denen die Landprediger als Träger der Volksaufklärung agierten. In Rede stehen die Einkünfte, die Ausbildung in der Schule und an der Universität zu Halle/Saale, Herkunft und Karrierewege, das Kirchenpatronat, das Verhältnis zum preußischen Staat, der Pfarrer in der Sicht der Dorfgemeinde, der Pfarrer als Volksaufklärer.
Die Arbeit stellt neu entwickelte Röntgenbeugungsmethoden vor, mit deren Hilfe der Verzerrungszustand des Kristallgitters von Halbleiter-Wafern und -Bauteilen im Detail charakterisiert werden kann. Hierzu werden die aussergewöhnlichen Eigenschaften der an modernen Synchrotrons wie der ESRF (Grenoble) verfügbaren Röntgenstrahlung genutzt. Im ersten Teil der Arbeit werden Röntgen-Diffraktometrie und -Topographie zu einer Untersuchungsmethode kombiniert, mit der die makroskopische Krümmung von Halbleiter-Wafern ebenso wie ihre mikroskopische Defektstruktur abgebildet werden kann. Der zweite Teil ist der Untersuchung von epitaktisch gewachsenen und geätzten Oberflächengittern mit Abmessungen im Submikrometer-Bereich gewidmet. Die unterschiedlichen Gitterkonstanten der beteiligten Halbleitermaterialien führen zu einem inhomogenen Verzerrungsfeld in der Probe, das sich im Röntgenbild durch eine charakteristische Verformung des Beugungsmusters in der Umgebung der Bragg-Reflexe äussert. Die Analyse der experimentell gemessenen Beugungsmuster geschieht mit Hilfe eines neu entwickelten Simulationsverfahrens, das Elastizitätstheorie und eine semi-kinematische Röntgenbeugungstheorie miteinander verbindet. Durch quantitativen Vergleich der Simulationsergebnisse mit den Messdaten kann auf den genauen Verlauf des Verzerrungsfeldes in den Proben zurückgeschlossen werden. Dieses Verfahren wird erfolgreich auf verschiedene Halbleiter-Probensysteme angewendet, und schliesslich auch auf die Untersuchung von akustischen Oberflächenwellen in Halbleiterkristallen übertragen.