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Stable electrochemically passivated Si surfaces by ultra thin benzene-type layers

  • Ultra thin organic layers of benzene-type molecules are able to passivate Si surfaces. The organic layers were electrochemically deposited on Si surfaces from aqueous solution of diazonium compounds and show a blocking of the charge transfer from Si into the electrolyte after the deposition process. Electron microscopic images reveal a compact and homogeneous organic layer of 4-bromobenzene on the Si. The surface recombination increases only slightly with respect to a well H-passivated Si surface, so that the interface state density is about 10(11) cm(2) or slightly below. Organic layer modified Si surfaces are much longer stable in ambient air than the H-terminated surface as observed by a slower decay of the integrated photoluminescence intensity with time. Thermal desorption measurements show that the organic layer is stable up to about 200 degrees C.

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Verfasserangaben:J. Rappich, P. Hartig, N. H. Nickel, I. Sieber, S. Schulze, T. Dittrich
ISSN:0167-9317
Publikationstyp:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2005
Erscheinungsjahr:2005
Datum der Freischaltung:24.03.2017
Quelle:Microelectronic Engineering. - ISSN 0167-9317. - 80 (2005), S. 62 - 65
Organisationseinheiten:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie
Peer Review:Referiert
Publikationsweg:Open Access
Name der Einrichtung zum Zeitpunkt der Publikation:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik
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