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In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction

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Verfasserangaben:Y. Zhuang, Ullrich Pietsch, Jochen Stangl, Vaclav Holý, Nora Darowski, Jörg Grenzer, S. Zerlauth, F. Schäffler, Günther Bauer
Publikationstyp:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Erscheinungsjahr:2000
Datum der Freischaltung:24.03.2017
Quelle:Physica / B. - 283 (2000), S. 130 - 134
Organisationseinheiten:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie
Name der Einrichtung zum Zeitpunkt der Publikation:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik
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