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X-ray diffraction analysis of strain relaxation in free standing and buried GaAs/GaInAs/GaAs SQW lateral structures

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Verfasserangaben:Nora Darowski, Ullrich Pietsch, K. H. Wang, Alfred Forchel, W. Shen, S. Kycia
Publikationstyp:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:1998
Erscheinungsjahr:1998
Datum der Freischaltung:24.03.2017
Quelle:Thin solid films. - 236 (1998), S. 271 - 276
Organisationseinheiten:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik und Astronomie
Name der Einrichtung zum Zeitpunkt der Publikation:Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät / Institut für Physik
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