TY - JOUR A1 - Darowski, Nora A1 - Lübbert, Daniel A1 - Pietsch, Ullrich A1 - Zhuang, Y. A1 - Zerlauth, S. A1 - Bauer, Günther T1 - In-plane strain and strain relaxation in laterally patterned Si/SiGe quantum dots and wire arrays Y1 - 1998 ER - TY - JOUR A1 - Darowski, Nora A1 - Paschke, K. A1 - Pietsch, Ullrich A1 - Wang, K. H. A1 - Forchel, Alfred A1 - Lübbert, Daniel A1 - Baumbach, Tilo T1 - Structural characterization of a GaAs surface wire structure by triple-axis X-ray grazing incidence diffraction Y1 - 1998 ER - TY - JOUR A1 - Baumbach, Tilo A1 - Lübbert, Daniel A1 - Pietsch, Uwe A1 - Darowski, Nora A1 - Leprince, L. A1 - Talneau, A. A1 - Schneck, J. T1 - Grazing incidence diffraction by epitaxial multilayered gratings Y1 - 1998 ER - TY - THES A1 - Lübbert, Daniel T1 - Strain and lattice distortion in semiconductor structures : a synchrotron radiation study N2 - Die Arbeit stellt neu entwickelte Röntgenbeugungsmethoden vor, mit deren Hilfe der Verzerrungszustand des Kristallgitters von Halbleiter-Wafern und -Bauteilen im Detail charakterisiert werden kann. Hierzu werden die aussergewöhnlichen Eigenschaften der an modernen Synchrotrons wie der ESRF (Grenoble) verfügbaren Röntgenstrahlung genutzt. Im ersten Teil der Arbeit werden Röntgen-Diffraktometrie und -Topographie zu einer Untersuchungsmethode kombiniert, mit der die makroskopische Krümmung von Halbleiter-Wafern ebenso wie ihre mikroskopische Defektstruktur abgebildet werden kann. Der zweite Teil ist der Untersuchung von epitaktisch gewachsenen und geätzten Oberflächengittern mit Abmessungen im Submikrometer-Bereich gewidmet. Die unterschiedlichen Gitterkonstanten der beteiligten Halbleitermaterialien führen zu einem inhomogenen Verzerrungsfeld in der Probe, das sich im Röntgenbild durch eine charakteristische Verformung des Beugungsmusters in der Umgebung der Bragg-Reflexe äussert. Die Analyse der experimentell gemessenen Beugungsmuster geschieht mit Hilfe eines neu entwickelten Simulationsverfahrens, das Elastizitätstheorie und eine semi-kinematische Röntgenbeugungstheorie miteinander verbindet. Durch quantitativen Vergleich der Simulationsergebnisse mit den Messdaten kann auf den genauen Verlauf des Verzerrungsfeldes in den Proben zurückgeschlossen werden. Dieses Verfahren wird erfolgreich auf verschiedene Halbleiter-Probensysteme angewendet, und schliesslich auch auf die Untersuchung von akustischen Oberflächenwellen in Halbleiterkristallen übertragen. N2 - This thesis presents newly developed X-ray methods which can be used to characterize in detail the state of distortion of the crystal lattice in semiconductor wafers, devices and nanostructures. The methods use the extraordinary properties of the X-rays available from modern synchrotron sources such as the ESRF (Grenoble). In the first part of the thesis, X-ray diffractometry and X-ray topography are combined into a new method, called X-ray rocking curve imaging, which allows to image the macroscopic curvature of semiconductor wafers as well as the underlying microscopic defect structure. The second part of the thesis deals with the investigation of epitaxially grown and subsequently etched semiconductor gratings with lateral periods below the micrometer. The lattice mismatch between the different materials used in heteroepitaxy leads to a non-uniform strain field in the sample, which is reflected in a characteristic distortion of the X-ray diffraction pattern around each Bragg peak. The experimental data are evaluated with the help of a newly developed simulation procedure which combines elasticity theory with a semi-kinematical theory of X-ray diffraction. From a quantitative comparison of measured and simulated data the detailed shape of the strain field in the samples can be deduced. This procedure is used successfully for the structural characterization of different types of semiconductor gratings, and is finally applied also to the investigation of surface acoustic waves in crystals. KW - Halbleiter / Kristallgitter / Verzerrung / Röntgenbeugung / Synchrotronstrahlung KW - x-ray diffraction KW - semiconductor gratings KW - wafers KW - lattice distortion KW - strain fields KW - simulation of reciprocal space maps KW - finite element method KW - surf Y1 - 1999 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:517-0000195 ER - TY - JOUR A1 - Holý, Václav A1 - Stangl, Jochen A1 - Zerlauth, S. A1 - Bauer, Günther A1 - Darowski, Nora A1 - Lübbert, Daniel A1 - Pietsch, Ullrich T1 - Lateral arrangement of self-assembled quantum dots in an SiGe/Si superlattice Y1 - 1999 ER - TY - JOUR A1 - Zeimer, Ute A1 - Baumbach, Tilo A1 - Grenzer, Jörg A1 - Lübbert, Daniel A1 - Mazuelas, A. A1 - Pietsch, Ullrich A1 - Erbert, G. T1 - In-situ characterization of strain distribution in broad-area high-power lasers under operation by high- resolution x-ray diffrcation and topography using synchrotron radiation Y1 - 1999 ER - TY - JOUR A1 - Zhuang, Y. A1 - Holý, Václav A1 - Stangl, Jochen A1 - Darhuber, A. A1 - Mikulik, P. A1 - Zerlauth, S. A1 - Schäffler, F. A1 - Bauer, Günther A1 - Darowski, Nora A1 - Lübbert, Daniel A1 - Pietsch, Ullrich T1 - Strain relaxation in periodic arrays of Si/SiGe quantum wires determined by coplanar high-resolution x-ray diffrcation and grazing-incidence diffraction Y1 - 1999 ER - TY - JOUR A1 - Lübbert, Daniel A1 - Baumbach, Tilo A1 - Ponti, S. A1 - Pietsch, Ullrich A1 - Leprince, L. A1 - Schneck, J. A1 - Talneau, A. T1 - Strain investigation of low strained buried gratings by grazing incidence X-Ray diffraction and the theory of elasticity Y1 - 1999 ER - TY - JOUR A1 - Holý, Václav A1 - Darhuber, A. A1 - Stangl, Jochen A1 - Zerlauth, S. A1 - Schäffler, F. A1 - Bauer, Günther A1 - Darowski, Nora A1 - Lübbert, Daniel A1 - Pietsch, Ullrich A1 - Vavra, I. T1 - HRXRD and GID investigations of a self-organized SiGe quantum dot multilayer Y1 - 1999 ER -