@misc{KleinWessels2004,
  author    = {Klein, Nadia and Wessels, Wolfgang},
  title     = {Eine Stimme, zwei H{\"u}te - viele Pioniere? : Die Gemeinsame Außen- und Sicherheitspolitik nach dem EU-Konvent},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:517-opus-46291},
  year      = {2004},
  abstract  = {In der Diskussion um die internationale Rolle Europas ist die Gemeinsame Außen- und Sicherheitspolitik (GASP) Gegenstand h{\"a}ufiger Kontroversen. Ist die EU-Außenpolitik „das blut{\"a}rmste Produkt der europ{\"a}ischen Integration" (Kagan 2002) oder gar Beleg f{\"u}r eine wachsende Kluft zwischen Erwartungen und F{\"a}higkeiten (Hill 1998)? Deutlich im Ged{\"a}chtnis ist noch die Zerrissenheit und Einflusslosigkeit der europ{\"a}ischen Außenpolitik w{\"a}hrend des Irakkrieges 2003. Sind entsprechende Bem{\"u}hungen der EU also nicht der Rede wert? Sind die Vorschl{\"a}ge zu Reformen der Verfahren und Institutionen, wie sie der Europ{\"a}ische Konvent zur Zukunft Europas und die anschließende Regierungskonferenz zuletzt vorlegten1, nur Sandkastenspielzeug f{\"u}r Politikwissenschaftler? Oder verspricht der geplante Verfassungsvertrag den strategischen Durchbruch, der die EU zu einem wirklichen außen- und sicherheitspolitischen Akteur im internationalen System werden l{\"a}sst?},
  language  = {de}
}
@misc{HofmannWessels2008,
  author    = {Hofmann, Andreas and Wessels, Wolfgang},
  title     = {Kein Konsens {\"u}ber Koh{\"a}renz? : ausw{\"a}rtiges Handeln der EU nach Lissabon},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:517-opus-21756},
  year      = {2008},
  abstract  = {Mit dem Vertrag von Lissabon verbinden sich hohe Erwartungen hinsichtlich der Effektivit{\"a}t zuk{\"u}nftiger Regelungen zum ausw{\"a}rtigen Handeln der Union. In der Gestaltung dieser Bestimmungen unterliegen die Mitgliedstaaten konstitutionellen Dilemmata, die eine L{\"o}sung erschweren. Obwohl im Detail durchaus Verbesserungen erkennbar sind, werden insgesamt zunehmende Konflikte und mangelnde Koh{\"a}renz erwartet.},
  language  = {de}
}
@article{HofmannZuefleShimizuetal.2019,
  author    = {Hofmann, Alexander J. L. and Z{\"u}fle, Simon and Shimizu, Kohei and Schmid, Markus and Wessels, Vivien and J{\"a}ger, Lars and Altazin, Stephane and Ikegami, Keitaro and Khan, Motiur Rahman and Neher, Dieter and Ishii, Hisao and Ruhstaller, Beat and Br{\"u}tting, Wolfgang},
  title     = {Dipolar Doping of Organic Semiconductors to Enhance Carrier Injection},
  series = {Physical review applied},
  volume    = {12},
  journal   = {Physical review applied},
  number    = {6},
  publisher = {American Physical Society},
  address   = {College Park},
  issn      = {2331-7019},
  doi       = {10.1103/PhysRevApplied.12.064052},
  pages     = {11},
  year      = {2019},
  abstract  = {If not oriented perfectly isotropically, the strong dipole moment of polar organic semiconductor materials such as tris-(8-hydroxyquinolate)aluminum (Alq3) will lead to the buildup of a giant surface potential (GSP) and thus to a macroscopic dielectric polarization of the organic film. Despite this having been a known fact for years, the implications of such high potentials within an organic layer stack have only been studied recently. In this work, the influence of the GSP on hole injection into organic layers is investigated. Therefore, we apply a concept called dipolar doping to devices consisting of the prototypical organic materials N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) as nonpolar host and Alq3 as dipolar dopant with different mixing ratios to tune the GSP. The mixtures are investigated in single-layer monopolar devices as well as bilayer metal/insulator/semiconductor structures. Characterization is done electrically using current-voltage (I-V) characteristics, impedance spectroscopy, and charge extraction by linearly increasing voltage and time of flight, as well as with ultraviolet photoelectron spectroscopy. We find a maximum in device performance for moderate to low doping concentrations of the polar species in the host. The observed behavior can be described on the basis of the Schottky effect for image-force barrier lowering, if the changes in the interface dipole, the carrier mobility, and the GSP induced by dipolar doping are taken into account.},
  language  = {en}
}