@phdthesis{Luebbert1999, author = {L{\"u}bbert, Daniel}, title = {Strain and lattice distortion in semiconductor structures : a synchrotron radiation study}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:517-0000195}, school = {Universit{\"a}t Potsdam}, year = {1999}, abstract = {Die Arbeit stellt neu entwickelte R{\"o}ntgenbeugungsmethoden vor, mit deren Hilfe der Verzerrungszustand des Kristallgitters von Halbleiter-Wafern und -Bauteilen im Detail charakterisiert werden kann. Hierzu werden die aussergew{\"o}hnlichen Eigenschaften der an modernen Synchrotrons wie der ESRF (Grenoble) verf{\"u}gbaren R{\"o}ntgenstrahlung genutzt. Im ersten Teil der Arbeit werden R{\"o}ntgen-Diffraktometrie und -Topographie zu einer Untersuchungsmethode kombiniert, mit der die makroskopische Kr{\"u}mmung von Halbleiter-Wafern ebenso wie ihre mikroskopische Defektstruktur abgebildet werden kann. Der zweite Teil ist der Untersuchung von epitaktisch gewachsenen und ge{\"a}tzten Oberfl{\"a}chengittern mit Abmessungen im Submikrometer-Bereich gewidmet. Die unterschiedlichen Gitterkonstanten der beteiligten Halbleitermaterialien f{\"u}hren zu einem inhomogenen Verzerrungsfeld in der Probe, das sich im R{\"o}ntgenbild durch eine charakteristische Verformung des Beugungsmusters in der Umgebung der Bragg-Reflexe {\"a}ussert. Die Analyse der experimentell gemessenen Beugungsmuster geschieht mit Hilfe eines neu entwickelten Simulationsverfahrens, das Elastizit{\"a}tstheorie und eine semi-kinematische R{\"o}ntgenbeugungstheorie miteinander verbindet. Durch quantitativen Vergleich der Simulationsergebnisse mit den Messdaten kann auf den genauen Verlauf des Verzerrungsfeldes in den Proben zur{\"u}ckgeschlossen werden. Dieses Verfahren wird erfolgreich auf verschiedene Halbleiter-Probensysteme angewendet, und schliesslich auch auf die Untersuchung von akustischen Oberfl{\"a}chenwellen in Halbleiterkristallen {\"u}bertragen.}, subject = {Halbleiter / Kristallgitter / Verzerrung / R{\"o}ntgenbeugung / Synchrotronstrahlung}, language = {de} }